R
X
G
страница:
navigation

BUP300


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP300 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP300
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT8Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP300


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP300 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP300
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT8Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

BUP300


силиконовый N-IGBT транзистор
UCE 1200V
UGE ±20V
IC 3.5A
Ptot 50W
fT -
TJ 150°C
BUP300 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 3.5A, применение: Универсальный
Рисунок: -
источник: SH SIPMOS Halbleiter 1993...... [еще]
SH SIPMOS Halbleiter 1993/94
подробная информация BUP300
OEM:Siemens AG
Корпус: TO-218AA
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):-
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:GT8Q101
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией

GT8Q101


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
GT8Q101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, применение: Драйвер двигателя, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-16C1C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8Q101


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
GT8Q101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, применение: Драйвер двигателя, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-16C1C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск

GT8Q101


силиконовый N-IGBT транзистор
similar to BUP300, see note
UCE 1200V
UGE ±20V
IC DC/AC 8/16A
Ptot 100W
TON/TOFF 400/800nS
TJ 150°C
GT8Q101 - силиконовый N-IGBT транзистор, Uce = 1.2kV, Ic = 8A, применение: Драйвер двигателя, Силовой переключатель
Рисунок: -
источник: Toshiba IGBT Databook 199...... [еще]
Toshiba IGBT Databook 1995/96
Аналоги: GT8Q101
OEM:Toshiba Toky... [еще]
Toshiba Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd. Japan
Корпус:2-16C1C
Лист технических данных (jpg):открыть
Лист технических данных (pdf):открыть
OEM Лист технических данных:-
Комплементарная пара:-
Список аналогов:-
искать аналог:-
поиск по детали:поиск
прим.:Аналог не всегда подходит для замены, пожалуйста, внимательно ознакомьтесь с инструкцией